Integrative
Capabilities
Quality
Advanced
Production
Execution

絕緣矽晶圓片SOI

內容簡介

SOI乃是在矽基材上面另外加上一層厚度介於50奈米至100微米的單晶矽,並在兩層單晶矽間隔入一層厚度約0.1-3微米的介電層來達到電性的阻絕,應用於元件製造,可具有低消耗功率的特性。

Description

詳細說明:

SOI乃是在矽基材上面另外加上一層厚度介於50奈米至100微米的單晶矽,並在兩層單晶矽間隔入一層厚度約0.1-3微米的介電層來達到電性的阻絕,應用於元件製造,可具有低消耗功率的特性。

用途:

  1. 先進CMOS IC
  2. 光電元件
  3. 微機電
  4. 高電壓/高電流IC

規格:

  1. 客製規格
  2. 提供6″-8″之thick SOI 及 8″-12″之thin SOI

產品聯絡人

洪育民

晶圓營二部
資深經理

崇越科技股份有限公司

30075 新竹市科學園區工業東九路12號
TEL:(03)564-2132 ext.3402
e-mail:allenym.hung@topco-global.com