描述

詳細說明：

SOI乃是在矽基材上面另外加上一層厚度介於50奈米至100微米的單晶矽，並在兩層單晶矽間隔入一層厚度約0.1-3微米的介電層來達到電性的阻絕，應用於元件製造，可具有低消耗功率的特性。

用途：

1. 先進CMOS IC
2. 光電元件
3. 微機電
4. 高電壓/高電流IC

規格：

1. 客製規格
2. 提供6″-8″之thick SOI 及 8″-12″之thin SOI