描述
詳細說明:
SOI乃是在矽基材上面另外加上一層厚度介於50奈米至100微米的單晶矽,並在兩層單晶矽間隔入一層厚度約0.1-3微米的介電層來達到電性的阻絕,應用於元件製造,可具有低消耗功率的特性。
用途:
- 先進CMOS IC
- 光電元件
- 微機電
- 高電壓/高電流IC
規格:
- 客製規格
- 提供6″-8″之thick SOI 及 8″-12″之thin SOI
SOI乃是在矽基材上面另外加上一層厚度介於50奈米至100微米的單晶矽,並在兩層單晶矽間隔入一層厚度約0.1-3微米的介電層來達到電性的阻絕,應用於元件製造,可具有低消耗功率的特性。
SOI乃是在矽基材上面另外加上一層厚度介於50奈米至100微米的單晶矽,並在兩層單晶矽間隔入一層厚度約0.1-3微米的介電層來達到電性的阻絕,應用於元件製造,可具有低消耗功率的特性。
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