Integrative
Capabilities
Quality
Advanced
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Execution

铜柱&巨量排列技术

内容简介

半导体封装导电柱
半导体封装抗EMI导电柱
半导体高gap支撑柱
半导体高长度/直径比导电柱

说明

  1. 半导体封装技术快速成长下,其对于pitch尺寸微缩、高散热、高导电、高频率有高度需求,铜柱已逐渐取代锡球成为取代品。
  2. 铜柱本身具备高导电特性,成为抗EMI的高成本、效率效益方案。
  3. 晶片使用面积有效化的发展下,增加了高密度I/O接点解决方案需求,铜柱已成为此技术中最佳应用材。
  4. 窄间距I/O产品,铜柱成为增加底部填充材流动速度的应用材料。

规格 :

Minimum diameter : 70 um
Maximum length : 1 mm
Surface coating(1~15 um) : Ni、Au、Sn

产品联络人

林吉钦

电子事业一部
副理

崇越科技股份有限公司

114511台北市内湖区堤顶大道二段483号
TEL: (02)8797-8020 ext.3152
e-mail: chichin.lin@topco-global.com

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