描述
用途:
- Photo-Diode
- Phote-Transistor
- Thyristor
- TVS.
- Zener Diode
规格:
- 4″, 5″, 6″, 8″.
- N 或 P 型.
- 方向:<100>, <111>
- 阻值 1~8,000 ohm
- 厚度: 300~600 um
FZ晶圆(Discrete Wafer)。由于FZ具有高纯度,高阻质的材料特性,适用于高频组件,有别于CZ wafer,FZ的阻质可高达8,000 ohm。
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晶一营一部
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