Integrative
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Quality
Advanced
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绝缘矽晶圆片SOI

内容简介

SOI乃是在矽基材上面另外加上一层厚度介于50奈米至100微米的单晶矽,并在两层单晶矽间隔入一层厚度约0.1-3微米的介电层来达到电性的阻绝,应用于元件制造,可具有低消耗功率的特性。

描述

详细说明:

SOI乃是在矽基材上面另外加上一层厚度介于50奈米至100微米的单晶矽,并在两层单晶矽间隔入一层厚度约0.1-3微米的介电层来达到电性的阻绝,应用于元件制造,可具有低消耗功率的特性。

用途:

  1. 先进CMOS IC
  2. 光电元件
  3. 微机电
  4. 高电压/高电流IC

规格:

  1. 客制规格
  2. 提供6″-8″之thick SOI 及 8″-12″之thin SOI