描述
详细说明：
SOI乃是在矽基材上面另外加上一层厚度介于50奈米至100微米的单晶矽，并在两层单晶矽间隔入一层厚度约0.1-3微米的介电层来达到电性的阻绝，应用于元件制造，可具有低消耗功率的特性。
用途：
- 先进CMOS IC
- 光电元件
- 微机电
- 高电压/高电流IC
规格：
- 客制规格
- 提供6″-8″之thick SOI 及 8″-12″之thin SOI
SOI乃是在矽基材上面另外加上一层厚度介于50奈米至100微米的单晶矽，并在两层单晶矽间隔入一层厚度约0.1-3微米的介电层来达到电性的阻绝，应用于元件制造，可具有低消耗功率的特性。
SOI乃是在矽基材上面另外加上一层厚度介于50奈米至100微米的单晶矽，并在两层单晶矽间隔入一层厚度约0.1-3微米的介电层来达到电性的阻绝，应用于元件制造，可具有低消耗功率的特性。
