共同创办人专栏

「2023 SEMICON Taiwan国际半导体展」9月6日起至8日于台北南港展览馆登场，半导体及光电关键材料整合服务龙头─崇越科技在一馆4楼展示半导体供应链整体解决服务方案，内容包括半导体整合服务、前段晶圆制造全制程、后段先进封装与高性能基板、二手设备与零件服务，以及建厂及厂务系统等全方位的整合方案。

为分享最新的创新技术与产品，崇越科技9月7日于TechXPOT舞台发表「复合衬底拓展了氮化鎵器件的世界」及「3D IC晶片堆叠金属细线路接合技术」，为第三代半导体提供高品质、大尺寸、低翘曲的GaN on QST晶圆，以及提供半导体先进封装制程的金属线路解决方案。

抢攻第三代半导体商机！佈阵新型氮化鎵基板技术

随5G通讯、消费性电子、工业能源转换及电动车等需求拉升，崇越科技看好高频通讯、高功率应用的第三代半导体市场，与日本信越化学合作，积极开发氮化鎵（GaN）晶片制程应用。

崇越科技邀请信越化学山田雅人部长，于半导体展TechXPOT舞臺发表「复合衬底拓展了氮化鎵器件的世界」，提供高品质、大尺寸、低翘曲的GaN on QST（Qromis Substrate Technology）技术。

QST基板比起传统蓝宝石基板、硅（Si）基板，具有更优良的散热表现；而氮化鎵的快速开关频率、高崩溃电压、高热导率、低导通电阻特性，推动更高性能的电晶体和积体电路。相较于过去的硅基板，由于QST基板与氮化鎵的热膨胀係数更为相近，在制程中磊晶氮化鎵的同时，磊晶良率大幅提升，降低晶片翘曲、破片，可有效缩短制程、利于晶圆代工厂实现量产。

崇越科技引进日本信越新型GaN on QST晶圆，并与国内晶圆代工厂展开合作，满足客户制程规格需求，且配合客户未来大尺寸晶圆的GaN制程趋势，已建立12吋QST晶圆的生产技术。由于消费性电子、5G通讯、车用电子强劲需求带动，预期未来氮化鎵应用将高速成长，有助于推升崇越科技成长动能。

抢攻CoWoS先进封装市场 引进3D IC晶片堆叠金属细线路接合技术

随人工智慧应用强劲需求，带动5奈米和3奈米等先进制程材料需求，以及CoWoS及3D IC先进封装产能。崇越科技针对半导体先进封装发展，发表「3D IC晶片堆叠金属细线路接合技术」。

为求效能最大化，需提升接点数量，金属接合技术面临多种新型的挑战，包含：最大限度缩小凸点间距及尺寸，以及增大基板尺寸所带来的热应力问题。崇越科技与三菱综合材料合作，针对这两大市场趋势，提供三种新型的电镀材料作为解决方案，分别为「奈米多孔铜结构接合技术」、「低温焊接应用铟镀技术」与「基板端电镀技术」。

为改善封装制程中电镀铜柱高度不同，导致孔洞等接合不良，「奈米多孔铜结构接合技术」在接合过程，不需进行化学机械抛光（CMP）或等离子体活化等前处理步骤，同时改善良率并缩减制程，降低成本；相较铜柱搭配焊料也拥有更好的电阻与接合表现。

随基板尺寸越做越大，现有焊接制程在温度过高时会出现翘曲问题。崇越引进「低温焊接应用铟镀技术」，使用金属铟作为电镀材料，不仅可低温焊接，更具备良好的成形性与无孔洞表现，可靠度方面表现优异，同时对于α粒子 (Alpha particle)控制更可达到SULA等级避免软性错误。

此外，为克服小间距基板上使用銲料球导致缺陷，透过「基板端电镀技术」替代锡膏，实现无缺陷的一次性凸点镀覆，展现优异的高度均一性。此特殊添加剂技术可于不同直径的基板镀覆，并保证良好的共面性和无孔洞效果，提升生产效率。

崇越科技参展国际半导体展! 9/6-8南港展览馆盛大展开
▍崇越科技参展2023 SEMICON Taiwan摊位资讯
◆展出时间：2023/9/6(三) – 9/8(五) 10:00 – 17:00，共计3日。
◆摊位位置：台北南港展览馆一馆4F Booth#M1138、M1148 (台北市南港区经贸二路1号)

▍崇越科技2023 SEMICON Taiwan创新技术发表会
◆发表时间：2023/9/7 (四) 13:40-14:00、15:00-15:20，共两场
◆发表地点：台北南港展览馆一馆 4F TechXPOT舞台Booth# L1100
◆发表主题：
13:40-14:00 复合衬底拓展了氮化鎵器件的世界
15:00-15:20 3D IC晶片堆叠金属细线路接合–锡膏替代方案

▍技术服务窗口
陈柏璋 经理 +886-3-623-3441 arthur.chen@topco-global.com
易大纲 专员 +886-2-7710-2859 gary.yi@topco-global.com