崇越科技卡位第三代半導體 搶先進封裝與高性能基板商機
「2023 SEMICON Taiwan國際半導體展」9月6日起至8日於台北南港展覽館登場,半導體及光電關鍵材料整合服務龍頭─崇越科技在一館4樓展示半導體供應鏈整體解決服務方案,內容包括半導體整合服務、前段晶圓製造全製程、後段先進封裝與高性能基板、二手設備與零件服務,以及建廠及廠務系統等全方位的整合方案。
為分享最新的創新技術與產品,崇越科技9月7日於TechXPOT舞台發表「複合襯底拓展了氮化鎵器件的世界」及「3D IC晶片堆疊金屬細線路接合技術」,為第三代半導體提供高品質、大尺寸、低翹曲的GaN on QST晶圓,以及提供半導體先進封裝製程的金屬線路解決方案。
搶攻第三代半導體商機!佈陣新型氮化鎵基板技術
隨5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及電動車等需求拉升,崇越科技看好高頻通訊、高功率應用的第三代半導體市場,與日本信越化學合作,積極開發氮化鎵(GaN)晶片製程應用。
崇越科技邀請信越化學山田雅人部長,於半導體展TechXPOT舞臺發表「複合襯底拓展了氮化鎵器件的世界」,提供高品質、大尺寸、低翹曲的GaN on QST(Qromis Substrate Technology)技術。
QST基板比起傳統藍寶石基板、矽(Si)基板,具有更優良的散熱表現;而氮化鎵的快速開關頻率、高崩潰電壓、高熱導率、低導通電阻特性,推動更高性能的電晶體和積體電路。相較於過去的矽基板,由於QST基板與氮化鎵的熱膨脹係數更為相近,在製程中磊晶氮化鎵的同時,磊晶良率大幅提升,降低晶片翹曲、破片,可有效縮短製程、利於晶圓代工廠實現量產。
崇越科技引進日本信越新型GaN on QST晶圓,並與國內晶圓代工廠展開合作,滿足客戶製程規格需求,且配合客戶未來大尺寸晶圓的GaN製程趨勢,已建立12吋QST晶圓的生產技術。由於消費性電子、5G通訊、車用電子強勁需求帶動,預期未來氮化鎵應用將高速成長,有助於推升崇越科技成長動能。
搶攻CoWoS先進封裝市場 引進3D IC晶片堆疊金屬細線路接合技術
隨人工智慧應用強勁需求,帶動5奈米和3奈米等先進製程材料需求,以及CoWoS及3D IC先進封裝產能。崇越科技針對半導體先進封裝發展,發表「3D IC晶片堆疊金屬細線路接合技術」。
為求效能最大化,需提升接點數量,金屬接合技術面臨多種新型的挑戰,包含:最大限度縮小凸點間距及尺寸,以及增大基板尺寸所帶來的熱應力問題。崇越科技與三菱綜合材料合作,針對這兩大市場趨勢,提供三種新型的電鍍材料作為解決方案,分別為「奈米多孔銅結構接合技術」、「低溫焊接應用銦鍍技術」與「基板端電鍍技術」。
為改善封裝製程中電鍍銅柱高度不同,導致孔洞等接合不良,「奈米多孔銅結構接合技術」在接合過程,不需進行化學機械拋光(CMP)或等離子體活化等前處理步驟,同時改善良率並縮減製程,降低成本;相較銅柱搭配焊料也擁有更好的電阻與接合表現。
隨基板尺寸越做越大,現有焊接製程在溫度過高時會出現翹曲問題。崇越引進「低溫焊接應用銦鍍技術」,使用金屬銦作為電鍍材料,不僅可低溫焊接,更具備良好的成形性與無孔洞表現,可靠度方面表現優異,同時對於α粒子 (Alpha particle)控制更可達到SULA等級避免軟性錯誤。
此外,為克服小間距基板上使用銲料球導致缺陷,透過「基板端電鍍技術」替代錫膏,實現無缺陷的一次性凸點鍍覆,展現優異的高度均一性。此特殊添加劑技術可於不同直徑的基板鍍覆,並保證良好的共面性和無孔洞效果,提升生產效率。
崇越科技參展國際半導體展! 9/6-8南港展覽館盛大展開
▍崇越科技參展2023 SEMICON Taiwan攤位資訊
◆展出時間:2023/9/6(三) – 9/8(五) 10:00 – 17:00,共計3日。
◆攤位位置:台北南港展覽館一館4F Booth#M1138、M1148 (台北市南港區經貿二路1號)
▍崇越科技2023 SEMICON Taiwan創新技術發表會
◆發表時間:2023/9/7 (四) 13:40-14:00、15:00-15:20,共兩場
◆發表地點:台北南港展覽館一館 4F TechXPOT舞台Booth# L1100
◆發表主題:
13:40-14:00 複合襯底拓展了氮化鎵器件的世界
15:00-15:20 3D IC晶片堆疊金屬細線路接合–錫膏替代方案
▍技術服務窗口
陳柏璋 經理 +886-3-623-3441 arthur.chen@topco-global.com
易大綱 專員 +886-2-7710-2859 gary.yi@topco-global.com
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新聞聯絡人
黃玉真
- 崇越科技股份有限公司
- 資深副總經理
- 股務室